赤崎勇

2022年12月20日

赤崎勇(あかさき いさむ),日本半导体科学家,1929年1月30日出生于日本,2014年10月7日,与天野浩、中村修二共同获得2014年诺贝尔物理学奖。

人物履历

1929年1月30日出生于鹿儿岛县知览町;

1946年鹿儿岛县立第二鹿儿岛初中毕业;

1952年毕业于京都大学理学部;

1959年-1963年名古屋大学助手,讲师,助教授一职;

1964年在名古屋大学获得博士学位;

1964年就任松下电器产业东京研究所基础研究室长;

1981年起任名古屋大学教授;

1992年起任日本名城大学教授。

研究领域

赤崎勇曾在神户工业公司(现富士通公司)和松下电器产业公司从事科研工作

赤崎勇在氮化镓研究中,首次实现了氮化镓的PN结,为利用氮化镓材料制造蓝色发光二极管奠定了基础

低温沉积缓冲层技术的高质量的制备氮化镓结晶成功(1986年)

p型氮化镓的结晶化成功,氮化镓的pn结的青色发光二极管(1989年)实现

从氮化镓的室温中紫外光诱导成功释放(1990年)

氮化镓/GalnN量子井电流注入诱导放出的观测成功(1995年)

主要著作

电气和电子材料(1985年9月,朝仓书店)

III-V族化合物半导体(1994年5月,培风馆)

青色发光设备的魅力―广泛的应用领域打开(1997年4月,工业调查会)

III族氮化物半导体(1999年12月,培风馆)

诺贝尔奖

2014年10月7日,赤崎勇、天野浩和中村修二因发现新型节能光源而获得2014年度诺贝尔物理学奖,他们将平分800万瑞典克朗(约合111万美元)的奖金。

获奖感言

赤崎勇在获奖后举行的记者会上首先感谢他的研究团队,称“我无法一个人完成这项成果”。

提及成功的秘诀,赤崎勇强调了研究团队的执着精神。他坦言,不少人之前对他说,他的研究在20世纪结束时也不会取得成果,“但我决没有这么认为……我只是一直在做我希望做的事”。

荣誉记录

1989年日本晶体生长学会论文奖

1991年中日文化奖

1994年光电子会议特别奖

1994年日本学会创立20周年纪念晶体生长技术贡献奖

1995年化合物半导体国际研讨会奖

1995年HeinrichWelkerGoldMedal

1996年IEEE激光和电子光学协会的工程成就奖

1996年紫绶奖章

1998年井上春成奖

1998年劳戴斯奖

1998年应用物理学会会志奖

1998年IEEE杰克A.莫尔顿奖

1998年英国排名奖

1999年固态科学技术奖

2000年朝日奖

2000年东丽科学技术奖

2002年应用物理学会成就奖

2002年武田奖

2002年藤原奖

2002年三等旭日中绶章勋

2003年日本学术会议会长奖

2003年SSDM奖

2004年“文化功劳者

2009年11月10日京都奖(尖端技术领域)

2011年IEEE爱迪生奖牌

2011年科学技术振兴机构知识产权特别贡献奖

2011年文化勋章

2014年日本学士院奖·恩赐奖

2014年诺贝尔物理学奖

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    [db:作者]

    这个人很懒,什么都没留下