全桥整流电路计算,用mos管怎样全桥整流

全桥整流电路的计算，如何用mos管整流目前充电器的功率越来越大，输入电流也越来越大。在小功率充电器中使用整流桥将交流电整流成直流电，再经过电容滤波给一次回路供电，是一种非常成熟的做法。整流桥具有可靠性高、价格低的优点，广泛应用于充电器中。

随着氮化镓快充的发展，高频高效的优势改写了充电器笨重不便携的历史。在大功率应用中，氮化镓快充的体积仅为传统电源方案的1/5，大大缩小了电源的体积。体积的减小对应的是功率集成度的提高和散热面积的减小。

氮化镓在充电器中的应用，代替传统的硅MOS，可以大大降低开关损耗，提高充电器的转换效率，降低发热和散热要求。然而，传统输入整流桥的损耗是恒定的。随着输出功率的增加，整流桥的功耗也会同步上升，需要大面积的翅片为整流桥散热，也降低了充电器的效率。

既然充电器用的是氮化镓，有什么办法可以降低初级整流电路的损耗？利用MOS管电导低的优势，用固定压降代替二极管整流。这就是应用在现代充电器次级的同步整流。同步整流控制器用于控制低电导电阻的MOS管，而不是二极管整流，以实现更低的压降和更低的功耗。

用四个MOS代替传统的整流桥，由一个支持桥式整流器的控制器驱动，是同步整流器在充电器输入端的应用。有两种有源整流器。一种是用两个MOS管代替整流桥的两个二极管，可以减少一半的损耗，同时不需要高压驱动器，设计方便，成本低。然而，这种解决方案只减少了一半的损耗。

另一种是用四个MOS管代替传统的整流桥，可以消除整流桥的大部分损耗，从而显著提高整个电源的能效。这种全桥方案的优点是能效高，损耗低，缺点是需要一个高压驱动器，同时使用四个MOS晶体管，导致成本高。但对于追求高能效和高功率密度的用户来说，这种全桥有源整流方案确实是选择。

有源整流是一种比较成熟的解决方案，实际使用与传统整流桥相同。它是高能效整流桥的理想替代品，也用于苹果的140W  U  PD3.1适配器。但苹果采用了成本更低的电子管方案，这是两个MOS管中的个，但它也大幅降低了整流管的损耗，从而降低了整流桥的损耗。

恩智浦恩智浦推出全桥四晶体管有源整流器控制器TEA2209T，内置高压驱动器，无外部驱动器。它能根据交流电压输入的极性自动导通或关断对角MOS管，实现超低损耗有源整流。目前，该器件已被240W氮化镓快速充电电源采用。

TEA2209T采用SO16封装，简化了电源的生产。芯片中集成了一个高压驱动器，可以直接驱动四个整流MOS晶体管，大大减少了外围器件的数量。同时芯片内部集成了X电容放电功能，可以实现更简单的外围和更低的功耗。

TEA2209T支持禁用功能，关闭驱动器输出，用MOS管内置体二极管整流，可以有效降低电源待机功耗。禁用功能支持与PFC控制器或MCU联动，以限度地降低待机功耗。这种芯片适用于开关电源应用，可用于电视机、台式电脑、笔记本电脑适配器等应用，减少发热，提高效率。

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随着充电器的不断改进，恩智浦推出的TEA2209T支持使用四个MOS晶体管代替传统整流桥，整流桥正向压降造成的损耗被极低的MOS晶体管正向压降消除，大大降低了发热和散热要求。恩智浦还推出了两款MOS晶体管的有源整流控制器，可以低成本实现部分有源整流，发热量可以得到明显改善。

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